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数据存储器：与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含sram(易失性)和eeprom(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部eeprom，在这种情况下，当需要存储大量数据时，设计---可以选择外部的串行eeprom或串行闪存器件。当然，也可以使用并行eeprom或闪存，但通常它们只被用作程序存储器。当需要外部高速数据存储器时，通常选择并行sram并使用外部串行eeprom器件来满足对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器，但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。针对非易失性存储器要求，串行eeprom器件支持i2c、spi或微线(microwire)通讯总线，而串行闪存通常使用spi总线。由于写入速度很快且带有i2c和spi串行接口，fram在一些系统中得到应用。

高温存储器150度

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引导存储器：在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，设计---可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储器。例如，如果没有外部的寻址总线或串行引导接口，通常使用内部存储器，而不需要专门的引导器件。但在一些没有内部程序存储器的系统中，初始化是操作代码的一部分，北京200度flash芯片种类，因此所有代码都将驻留在同一个外部程序存储器中。某些微控制器既有内部存储器也有外部寻址总线，在这种情况下，引导代码将驻留在内部存储器中，而操作代码在外部存储器中。这很可能是安全的方法，因为改变操作代码时不会出现意外地修改引导代码。在所有情况下，引导存储器都必须是非易失性存储器。