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现货150度高温存储器
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存储器的单元
存储器的“单元”(cell)是指用来存取资料的结构,如果含有一个晶体管(transistor)与一个电容(capacitor)则称为“1t1c”;如果含有一个晶体管(transistor)与一个电阻(resistor)则称为“1t1r”;如果含有一个二极体(diode)与一个电阻(resistor)则称为“1d1r”。
存储器的每个“单元”不一定只能储存 1 个位的资料,由于我们对存储器容量的要求越来越高,每个“单元”能储存的资料越来越多,依照每个“单元”能储存的资料位数又分为:单层单元(single-level cell,slc)、多层单元(multi-level cell,mlc)、三层单元(triple-level cell,tlc)、四层单元(quad-level cell,qlc)等。
225度进口存储器价格
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ram-randomaccessmemory易挥发性随机存取存储器,高速存取,读写时间相等,且与地址无关,如计算机内存等。
rom-read only memory只读存储器。断电后信息不丢失,如计算机启动用的bios芯片。存取速度很低,(较ram而言)且不能改写。由于不能改写信息,不能升级,现已很少使用。
eprom,eeprom,flash rom(nor flash 和 nadn flash),性能同rom,但可改写,一般读比写快,写需要比读高的电压,(读5v写12v)但flash可以在相同电压下读写,且容量大成本低,如u盘mp3中使用广泛。在计算机系统里,ram一般用作内存,rom用来存放一些硬件的驱动程序,也就是固件。
进口150度高温存储器
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---电路
(1) 地址译码。
4kb×1的存储器有4096个存储单元,选择某一单元需要12根地址信号(212=4096),它们被分为行地址和列地址。
(2) i/o电路(输出驱动)。
(3) 读写控制电路。r/w。
(4) 片选信号,ce或cs。
微机存储器由多个存储芯片组成,cpu读写存储器时,必须选中一个芯片,该选择信号称为片选信号,一般用ce或cs表示。只有被选中的芯片(ce/cs有效),flash存储器,才能读出或写入数据。
(5) 三态缓冲器(图中未画出)
用于连接cpu数据总线和存储器数据总线。当三态缓冲器选通时,cpu才能与存储器交换数据。否则,cpu与存储器断开。
(6) 刷新电路(图中未画出,仅dram存储器需要)
用于控制dram刷新。
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