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数据存储器
与程序存储器类似,数据存储器可以位于微控制器内部,或者是外部器件,但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含sram(易失性)和eeprom(非易失)两种数据存储器,但有时不包含内部eeprom,在这种情况下,当需要存储大量数据时,设计---可以选择外部的串行eeprom或串行闪存器件。当然,也可以使用并行eeprom或闪存,但通常它们只被用作程序存储器。

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eeprom与fram
eeprom和fram的设计参数类似,线性稳压器,但fram的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下,用户仍会选择eeprom而不是fram,其主要原因是成本(fram较为昂贵)、水平和供货情况。设计---常常使用成本较低的串行eeprom,150度线性稳压器原理,除非耐久性或速度是强制性的系统要求。
dram和sram都是易失性存储器,尽管这两种类型的存储器都可以用作程序存储器和数据存储器,高温线性稳压器原理,但sram主要用于数据存储器。dram与sram之间的主要差别是数据存储的寿命。只要不断电,sram就能保持其数据,但dram只有极短的数据寿命,通常为4毫秒左右。

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eeprom与闪存
从软件角度看,独立的eeprom和闪存器件是类似的,175度线性稳压器原理,两者主要差别是eeprom器件可以逐字节地修改,而闪存器件只支持扇区擦除以及对被擦除单元的字、页或扇区进行编程。对闪存的重新编程还需要使用sram,因此它要求更长的时间内有更多的器件在工作,从而需要消耗更多的电池能量。设计---也必须确认在修改数据时有足够容量的sram可用。

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