询价175度直插电容公司-直插电容-北京启尔特

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    2023-8-13

齐奎
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c0g电容器具有高温度补偿特性,适合作旁路电容和耦合电容

x7r电容器是温度稳定型陶瓷电容器,适合要求不高的工业应用

z5u电容器特点是小尺寸和低成本,尤其适合应用于去耦电路

y5v电容器温度特性差,但容量大,可取代低容铝电解电容



供应200度高温高压陶瓷电容

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由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,询价160度直插电容公司,而且电容量范围较宽(一般有几个pf到上百μf),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整。


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离子迁移可---破坏正电极表面银层,直插电容,引线焊点与电极表面银层之间,间隔着具有半导体性质的氧化银,使无介质电容器的等效串联电阻增大,金属部分损耗增加,电容器的损耗角正切值---上升。

  由于正电极有效面积减小,电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移---时,两电极间搭起树枝状的银桥,使电容器的绝缘电阻大幅度下降。

  综上所述,银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化,而且可能引起介质击穿场强下降,后导---容器击穿。



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